기술 개요
분자 빔 에피(MBE) 동안에 나노 크기의 물체(양자 점과 양자 선)의 직접적인 형성 기술과 고 비매칭 InGaAs/GaAs 이방에피 시스템에서의 관련 기술을 개발해 왔다. 이 기술적인 과정으로 후면 크기가 10-20nm이고 높이가 3-6nm인 다른 기하학적 모양을 갖는 3차원 결정섬의 규칙적인 배열과 20-50nm의 주기적인 주름을 갖는 선 모양의 구조를 을 얻을 수 있다. 여기서, 미시적인 이론과 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램, 실험적인 테크닉을 적당한 성장영역을 선택함으로써 다른 형태적인 특징을 갖는 나노구조를 만들어 내기 위해서 제안하고 개발하였다. MBE 기계, 스캔 터널링 현미경과 발광장비를 포함한 나노구조의 성장과 진단에 필요한 시설과 실험적인 방법들을 보유하고 있다.색층분석 분야에서의 장래의 발전
기술 정보
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