재료라이센스

PECVD법에 의한 농도구배(concentration gradient) (Ti,Al)N 경질박막 제조

재료 분야 이전 가능 기술이랍니다. 보유기관·이전유형·조건과 기술 개요를 살피고, 중소기업의 기술도입·사업화 및 기술보장 연계 검사에 활용하세요.

기술 개요

내마모성 보호피막으로 널리 사용되는 TiN은 550℃ 이하의 온도에서 산화가 시작된다는 단점을 지니고 있다. 그러나, (Ti,Al)N의 경우 고온에서 표면에 치밀한 알루미늄 산화물을 형성시켜 내산화성이 우수할 뿐 만 아니라, 확산에 의한 마모를 줄이는 역할을 한다고 보고되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 (Ti,Al)N 막을 고속도강위에 증착시켰다. 제조된 (Ti,Al)N 막의 기계적 특성 실험을 한 결과, 경도, 산화특성, 내마모성 등이 TiN막보다 우수했으나, 막에 있어서 중요한 접착력에 있어서는 Al 함량이 15%을 넘어서는 감소하는 경향을 나타내었다. 따라서, 그 단점을 극복하고자 기판의 계면에서부터 Al 함량이 점진적으로 증가하는 농도 경사 (Ti1-XAlX)N를 제조하였다.

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국생산기술연구원
개발상태기술개발완료
이전유형라이센스
이전조건협의 후 결정
키워드PECVD, 알루미늄산화물, 플라즈마 화학 증착법, 경질박막

한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.

같은 분야 기술

폭발 방사 현상과 휴대 X-ray 튜브특허법인충정 에피 칩 색층분석특허법인충정 방목 조사 Mossbauer 분광학특허법인충정 ECR 플라즈마 화학증기증착(CVD)를 이용한 저응력.고투광성 박막제조기술한국생산기술연구원 화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술한국생산기술연구원 플라즈마(Plasma Enhanced) MOCVD에 의한 금속질화물(Nitride)의 증착한국생산기술연구원