기술 개요
ECR plasma CVD는 기존의 plasma source에 비해 낮은 작업 압력, 높은 ion 밀도, 낮은 plasma potential, 그리고 ion energy 와 ion flux의 독립적 조절 가능성 등으로 인하여 최근 single wafer process에의 적용이 활발히 연구되고 있다. 한편 실리콘 질화막은 오랫동안 반도체공정에 이용되어 왔으며, 최근에는 특히 X-ray lithography용 마스크 재료로서 많은 연구가 되고 있는데, 이 경우는 적정 막응력, 화학양론적 조성, 불순물 함량, 표면 평활도, 가시광 투과도 등에서의 엄격한 막질의 조절이 요구된다. 그러나 각각의 막질간에 서로 상관관계가 있기 때문에 기존의 LPCVD 혹은 PECVD process로는 최적의 막질을 얻기 힘들다. 본
기술 정보
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