기술 개요
Pulsed D.C. 플라즈마는 D.C. 플라즈마에 비해 정확한 이온 및 전자전류를 가지며 방전시 기판상에 존재하는 공간전하가 제거되는 장점을 가지고 있다. 또한 Pulsed D.C. 플라즈마는 Duty의 조절이 가능하여 RF 플라즈마에 비해 기판으로 이온을 가해주는 시간비율의 조절이 자유롭다. 이러한 Pulsed D.C. 플라즈마를 사용하여 금속질화물의 한 예로 HfN 박막을 증착하였다. HfN 박막은 Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PEMOCVD)에 의해 증착되었다. Tetrakis diethyl amido Hafnium (TDEAHf)가 Hf precursor로 사용되었다. carrier gas와 reactive gas 로는 각각 A
기술 정보
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