재료라이센스

이온 플레이팅법에 의한 농도경사(concentration gradient)(Ti,Al)N 경질박막 제조

재료 분야 이전 가능 기술이랍니다. 보유기관·이전유형·조건과 기술 개요를 확인하고, 중소기업의 기술도입·사업화 및 기술보증 연계 체크에 활용하세요.

기술 개요

-최근에 내마모, 절삭공구코팅에 TiN에 대한 대체 재료로서 TiAlN이 각광을 받고 있다. 이온플레이팅법을 이용하여 고속도강 위에 TiAlN 박막을 증착한 결과 박막 내에 Al함량이 증가할수록 미소경도값은 증가하였으나, 잔류응력의 증가로 인하여 접착력의 감소가 나타났다. 이러한 문제점을 해결하고, 최적화된 박막을 얻기 위해 박막의 깊이 방향으로 Al의 농도가 점진적으로 변화하는 농도경사 TiAlN박막을 제조하였다. Ti과 Al은 각각 전자빔과 저항가열장치를 사용하여 독립적으로 증발시켰으며, 증착과정 중 Al의 증발속도를 증가시킴으로써 박막 내의 Al농도를 점진적으로 증가시켰다. XRD분석과 AES분석으로부터 농도경사박막의 제조를 확인할 수 있었으며, 단면조직을 SEM 및 TEM으로 관찰한 결과 Al의 함량

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국생산기술연구원
개발상태기술개발완료
이전유형라이센스
이전조건협의 후 결정
키워드이온 플레이팅법, 경질 박막, 절삭공구코팅, 고속도강, 농도경사박막

한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.

같은 분야 기술

폭발 방사 현상과 휴대 X-ray 튜브특허법인충정 에피 칩 색층분석특허법인충정 방목 조사 Mossbauer 분광학특허법인충정 PECVD법에 의한 농도구배(concentration gradient) (Ti,Al)N 경질박막 제조한국생산기술연구원 ECR 플라즈마 화학증기증착(CVD)를 이용한 저응력.고투광성 박막제조기술한국생산기술연구원 화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술한국생산기술연구원