기술 개요
ZnO는 이방성 결정구조, 비화학양론적 결함구조, 넓은 밴드갭, 대기압하에서의 반응성, 가시광선 영역에서의 투명성과 높은 굴절률, 큰 압전 상수, 강한 acoustooptic, electrooptic 비선형 광학 계수를 가지는 재료로서, 저주파 영역 센서에 있어서 압전 트랜스듀서, optical waveguide, 산화 또는 환원 가스의 검출기, 발광 다이오드와 태양전지의 투명전극망 등 그 이용 범위가 매우 다양하다. 본 연구에서는 99.9% ZnO타겟을 사용하고 rf magnetron sputter기법을 이용하여 박막을 제조하였으며, 증착 변수로는 plasma power (50w-250w), sputter gas(Ar, Ar/O2), 그리고 기판 온도(상온-500℃)를 번화시켰다. 제조된 박막은 증착 변수
기술 정보
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