재료라이센스

고온초전도 전자소자 개발

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기술 개요

1. 박막제조 분야 ·YBCO/BSTO/YBCO/LAO 구조의 고온초전도 다층 막을 제작함 ·산소분압에 따른 박막의 특성 변화 연구하여 적정 조건을 찾음 ·레이저 증착법을 사용하여 우수한 특성의 박막 제조 조건을 확립함2. 조셉슨 접합 제작 및 미세선 가공 ·ECR ion beam etching 방법으로 선폭 1㎛의 미세선폭 제조기술 확립 ·ECR 방법으로 step을 제작하고 step edge junction 제작 ·Bicrystal 기판을 사용하여 Josephson junction 제작3. IR 광센서 제작 ·Grain Boundary에서의 광반응 특성 조사 및 기구 규명 (비열적 광반응 관찰) ·Kinetic inductance를 이용하여 bolometer를 제작함 (감도 10,000Hz/K)4. 고온초

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국생산기술연구원
개발상태기술개발완료
이전유형라이센스
이전조건협의 후 결정
키워드고온초전도, 전자소자, 박막제조, 조셉슨 접합, 광센서

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