재료라이센스

Ⅲ-Ⅴ족화합물 반도체 양자구 에피 웨이퍼생산기술

재료 분야 초창기 가능 기술이랍니다. 보유기관·이전유형·조건과 기술 개요를 살피고, 중소기업의 기술도입·사업화 및 기술보장 연계 검토에 활용하세요.

기술 개요

화합물 반도체 소자는 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 반도체의 이종접합을 이용하여 소자의 성능을 극대화시키는데 지난 15년간의 연구 결과 반도체 극초막으로 구성되는 양자(quatum)구조를 이용하는 경우 많은 소자의 성능을 극대화시킬 수 있음이 알려져 있다. 현재 반도체 레이저, LED, 고속 트랜지스터 등에는 100 Å 이하의 두께를 갖는 반도체 양자우물 층을 갖는 소자가 실용화되어 있다. 양자구조에 대한 연구는 현재의 양자우물을 근간으로 양자선(quantum wire) 및 양자점(quantum dot) 등의 구조를 이용하여 보다 향상된 소자 성능을 구현하고자 하는 연구가 진행되고 있는데 현재 이들 구조를 손쉽게 에피성장시킬 수 있는 방법에 대한 연구가 주된 관심이 되고 있다. 양자우물은 100 Å 이하의

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국생산기술연구원
개발상태기술개발완료
이전유형라이센스
이전조건협의 후 결정
키워드화합물반도체, 에피 웨이퍼, 극초막, 반도체 레이저, LED

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