청색 발광소자 개발을 위한 후막 GaN 성장 기술

기술 개요

GaN로 대표되는 III-V 질화물반도체를 이용한 청색발광소자는 Full color display의 구현, DVD용 광원의 개발 및 electric bulb의 대치를 통한 에너지절약등에 활용될 수 있는 중요한 소자이다. 이러한 소자의 개발에 관한 연구는 지난 20년간 진행되어 왔으나, GaN계 단결정박막(epi layer)의 성장에 필요한, GaN와 격자와 열팽창계수가 유사한 기판 물질의 부재로 인하여 크게 발전하지 못하였다. GaN 기판의 개발은 GaN 단결정(bull)성장에 필요한 조건이 2400℃ 이상의 고온과 40,000 기압 이상의 고압이므로, 청색발광소자 개발에 요구되는 고품위 대구경(최소 2" 이상) GaN 기판을 개발이 어려운 상황이다. 이에따라 성장속도가 60~100㎛/hr 이상인

기술 정보

한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.

같은 분야 기술

폭발 방사 현상과 휴대 X-ray 튜브특허법인충정 에피 칩 색층분석특허법인충정 방목 조사 Mossbauer 분광학특허법인충정 PECVD법에 의한 농도구배(concentration gradient) (Ti,Al)N 경질박막 제조한국생산기술연구원 ECR 플라즈마 화학증기증착(CVD)를 이용한 저응력.고투광성 박막제조기술한국생산기술연구원 화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술한국생산기술연구원