기술 개요
질화규소계 세라믹스에서 잘 조정된 bimodial 입도분포의 미세조직은 파괴인성을 향상시킨다. 질화규소에서 bimodial 구조의 형성은 1900℃이상의 온도에서 소결되었을 때만 가능한 것으로 알려져있으며 100기압 정도의 가압소결이 필수적이다. 이를위해서는 고가의 가압소결로가 필요하다. 본 연구에서는 비정상 입자성장에 영향을 줄 수 있는 변수로서 SiAlON 과 Si3N4계 조성에서 출발원료의 입도와 β입자량을 조절하여 상압소결로도 bimodial 입도분포를 가진 고인성의 질화규소재료를 개발하기 위하여 출발원료의 입도 및 β입자량이 미세조직 형성에 미치는 영향에 대하여 조사하여, 미세입자를 원료로 사용할 때 1850℃ 질소 상압분위기에서도 같은 조직의 질화규소를 제조할 수 있었다.
기술 정보
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