기술 개요
· 사파이어 c면 또는 6H-SiC 위에 헤테로에피탁시 기술로 GaN 박막을 제조 · buffer 제조기술 사용 · 고온기상 박막 제조 기술 · Metal Organic CVD 기술 · Halide VPE 기술 · Laser VPE 기술· 고부가가치 반도체 소재로써 차세대 첨단 장비에 고밀도 메모리 디스크 및 저전압 구동형 삼차원 전광판으로 그 수요가 크게 증가할 전망임 · 6H-SiC를 사용하면 반응시간과 반응원료를 크게 줄일 수 있으므로 원가 절감 · 6H-SiC 위에 고품위 GaN 박막을 만듦으로 높은 정밀도의 고성능 디바이스를 만들기에 유리함
기술 정보
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