분자 수준 화학의 응용 기술 개발 사업/Wide band gap 화합물 반도체의 제조

기술 개요

1,3-디실라부탄(1,3-disilabutane)을 원료로 하는 화학증착법에 의한 입방형 탄화규소(3C-SiC) 막의 규소 (001) 및 (111) 웨이퍼 위에서의 이종 적층 성장(heteroepitaxy), 고진공 화학 증착(high vacuum chemical vapor deposition) 방법의 확립, 1,3-디실라부탄의 원료로서의 유용성 확인, 규소 웨이퍼 표면의 탄화(carbonization) 과정의 생략, 화학 증착 온도의 대폭적인 감소 (~400 ℃), 증착되는 박막에의 수소 혼입의 감소 (1 차수)

기술 정보

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