기술 개요
Mg, Zn을 이용하여 GaN박막의 doping한 결과, Zn-doped GaN은 2.6 eV와 2.4 eV, Mg-doped GaN은 2.8 eV와 2.6 eV에서 발광하는 박막을 제조하였다. 양자 역학적 계산(ASED-MO)과에 의하면 NH/SUB 3/에 의한 기판의 전처리가 결정성 향상에 크게 기여하며 수분, O/SUB 2/ C 등의 불순물은 기판 표면 보다는 박막의 성장도중에 삽입될것으로 예측된다. HVPE 방법을 이용하여 GaN 박막 성장시에 수분, 산소 등의 불순물은 순수한 α-GaN 위에 β-GaN 성장을 유발시켰다. 한편 청색 발광체 개발의 일환으로 이트륨계 산화물에 희토류금속인 Eu/SUP3+/, Tb/SUP 3+/나 Ce/SUP 3+/를 활성제로 도핑시켜서 3원색 형광체 물질을 탐색한 결과
기술 정보
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