재료기술지도

EL 표시소자용 산화바나듐 피막 제조 기술

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기술 개요

산화바나듐은 바나듐의 산화가에 따라서 VO, VO2, V2O3, V2O5 등의 다양한 화합물을 가지며 각 화합물은 온도에 따라서 여러 가지의 결정 구조로서 변화한다. 이러한 결정구조의 변화시에는 전자의 에너지 구조의 변화에 의하여 부도체(또는 반도체)에서 도체(또는 반도체)로의 변화가 수반되며 이는 전기적인 물성뿐만이 아니라 색깔 등의 광학적 물성의 변화가 동반함을 의미한다. 또한 이러한 물성의 변화는 동소체 변태의 특성상 가역적으로 나타나며 조성에 따라서 상변이를 일으킬 수 있는 활성화 특성이 다양할 뿐만이 아니라 크고 작은 이력성(hysteresis)를 보일 수 도 있다. 따라서 산화바나듐을 열적이나 전기적으로 활성화를 시키면 인위적인 상변화를 일으킬 수가 있고 on/off switching에 의하여 가

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국기술거래(주)
개발상태기타
이전유형기술지도
이전조건협의 후 결정
응용분야이 소재를 박막으로 가공하는 경우에는 소자의 미세화, 경량화가 가능하게되어 평판표시소자부품, 센서, 쓰기/저장 이 가능한 광 기록용 매체, 미소 switching 소자 등으로 이용이 가능하다.
키워드표시소자, 산화바나듐 피막, 결정구조, 평판표시소자, 광 기록용 매체, 센서

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