기술 개요
nSb는 Bulk 상태에서 78,000㎠/Vsec 의 고 전자이동도를 나타내기 때문에 브러시없는 모터 제어 등에 사용되는 Hall소자에 적용하기 위한 많은 연구가 진행되어왔다. 그러나 대부분의 소자용 재료로는 박막이 요구되나, InSb을 박막화하면 bulk상태의 이동도보다 현저히 감소하는 문제점을 지니고 있었다. 지금까지 시도되어 온 InSb 박막 제조 방법으로는 증착시 기판 가열에 의한 결정화 방법, InSb 분말의 순간증발 열증착에 의한 결정화 방법, In/Sb 다층 막의 순차적 증착후 재결정화 방법, Molecular Beam epitaxy (MBE) 에 의한 제조법등이 있다. 이러한 방법으로 전자이동도 20,000㎠/Vsec 이상은 얻을 수 있지만 공정이 매우 까다롭거나 고가의 장비이기 때문에 산업화
기술 정보
한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.