재료기술지도

화합물 반도체 에피성장용 MOCVD 반응실 설계 및 제작기술

재료 분야 초창기 가능 기술이랍니다. 보유기관·이전유형·조건과 기술 개요를 살피고, 중소기업의 기술도입·사업화 및 기술보장 연계 조사에 활용하세요.

기술 개요

유기금속 화학기상 에피성장법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)은 1970년대 말 화합물 반도체 이종접합 구조를 에피성장시키기 위하여 개발되기 시작한 후 현재까지의 약 20년간 비약적인 발전을 거듭하여 다양한 화합물 반도체 소자를 제작하는데 사용되고 있다.현재 국내에서는 삼성(종합기술원, 전기, 전자), LG(중앙연구소, 전자), 현대전자, 삼미, 광전자, 국제 등의 화합물 반도체 소자 생산사에서는 MOCVD 방법으로 소자 구조를 에피성장하거나 혹은 MOCVD로 성장된 에피웨이퍼를 이용하여 다양한 광소자를 생산하고 있으며 연구소에서의 연구 결과를 대량생산으로 확대하는 작업을 하고 있다. 아울러, 전자통신연구소, KIST, 표준연구소 등의 연구진들도 MOCVD

기술 정보

기술분류재료 · 전기·전자기 기능재료
보유기관한국기술거래(주)
개발상태기타
이전유형기술지도
이전조건협의 후 결정
응용분야다양한 형태의 유기금속(organometallics)으로 제조할 수 있다는 장점을 가져 화합물 반도체 이외에 초전도체, 유전체, 금속 등 다양한 재료의 박막층을 제조하는데 사용
키워드화합물 반도체, 에피성장용, MOCVD 반응실, 유기금속, 박막층, 반도체

한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.

같은 분야 기술

폭발 방사 현상과 휴대 X-ray 튜브특허법인충정 에피 칩 색층분석특허법인충정 방목 조사 Mossbauer 분광학특허법인충정 PECVD법에 의한 농도구배(concentration gradient) (Ti,Al)N 경질박막 제조한국생산기술연구원 ECR 플라즈마 화학증기증착(CVD)를 이용한 저응력.고투광성 박막제조기술한국생산기술연구원 화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술한국생산기술연구원