기술 개요
금속막 제조에는 화학적인 방법(CVD)과 물리적인 방법(E-beam, Sputtering)이 이용되는데, 이러한 방법들은 고진공(510-6 torr)과 고가의 장비를 필요로 하는 단점이 있다. 또한, 금속막 재료로는 백금, 티탄 등의 내열금속과 알루미늄, 텅스텐 등이 주로 쓰이고 있다. 텅스텐은 높은 전도도, silicon과 비슷한 열적 팽창계수, 낮은 ohmic contact 저항, 우수한 pattern 형성 및 식각 가능성 때문에 VLSI 기술에 있어서 contact layer, diffusion barrier, gate electrode, 그리고 interconnect line 등에 사용되고 있다. 텅스텐 금속막은 일반적으로 다양한 기체를 사용하여 CVD방법에 의해서 제조되는데, 이 방법은 물리적인 방
기술 정보
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