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전기·전자라이센스

밀리미터파 혼합기와 검출기에 대한 쇼트키 장벽 높이 공학

전기·전자 분야 초창기 가능 기술이랍니다. 보유기관·이전유형·조건과 기술 개요를 확인하고, 중소기업의 기술도입·사업화 및 기술보증 연계 검사에 활용하세요.

기술 개요

감소 실효 쇼트키 장벽 높이를 갖는 반도체 구조에 대한 생산 기술을 개발해 왔다. 이것은 OMVPE 반응장치에서 성장과정 동안 직접적으로 GaAS 표면 영역과 그 다음 공정인 3-methyl-aminalan으로부터 알류미늄층의 도핑을 제어할 수 있기 때문에 가능하다. 제안된 방법으로 장벽 높이 0.75~0.1eV의 재생 가능한 Al/n-GaAs 쇼트키 접합을 만들 수 있다. 중도핑을 할 경우, 비합금 저항접합(<10(-5) Ohm/cm)을 얻을 수 있다.

기술 정보

기술분류전기·전자 · 반도체 공정 (B63)
보유기관특허법인충정
개발상태기술개발완료
이전유형라이센스
이전조건협의 후 결정
응용분야- 감압 MOCVD 반응장치 &quot;EPIQUIP VP 502 RP&quot;;- 평면 일괄 건조 처리시스템 &quot;Secon XPL-26&quot;;- 전자관 위치 시스템 &quot; VUP-5&quot;;- 저항성 증발 시스템 &quot;VUP-5&quot;;- 멀티 이온빔 시스템 &quot;Cashtan&quot;;
키워드밀리미터파, 혼합기, 검출기, 쇼트키 장벽, 반도체
기술보증·인증 안내 기술도입 상담

한국산업기술진흥원(KIAT) 국가기술은행(NTB) 공개 데이터 기반 자동 정리 정보입니다. 이전 조건·세부사항은 보유기관 확인이 필요합니다.

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