기술 개요
새로운 반도체 구조와 전도율을 제어하기 위한 방법을 개발하였다. 이 구조들은 자장, 온도, 문턱온도, 광, 자외선 방사, 그리고, 다른 많은 물리량을 측정하기 위해서 개발된 기존의 센서를 능가하는 기술적 특징을 가진 반도체들을 개발하기 위한 새로운 접근을 가능하게 했다. 게다가, 이러한 센서들은 출력신호를 갖는 몇몇 내부 기능변환을 할 수 있고, 부가적인 전자장치(증폭기, 신호 조절장치, 잡음 방지기 등) 없이 사용할 수 있게 한다. 이러한 다기능 센서를 Z-센서라 부르고, 여러 나라(이탈리아, 일본, 중국)에서 테스트를 했다. Z-센서는 독일, 이탈리아, 노르웨이, 한국, 일본, 중국, 미국에서 "Russian Technologies" 전람회에서 전시되었다. Z-센서 생산을 위한 실험실
기술 정보
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