기술 개요
최근에 이르러 강유전체가 갖고 있는 높은 잔류 분극과 높은 유전률과 같은 고유한 특성으로 인해 비휘발성 기억소자나 DRAM과 같은 기억소자로의 응용에 큰 주목을 끌고 있다. 이러한 비휘발성 기억소자는 DRAM의 특성인 빠른 동작속도와 데이터 입출력의 용이성 위에 강유전체의 비휘발성(bistable state)이 추가된 특성이 있으며 휘발성 기억소자에서는 강유전체에 고유한 높은 유전률을 이용하여 기존의 DRAM의 고집적화의 한계를 극복하려는 것이다. 비휘발성 기억소자로의 실현에 강유전체박막의 신뢰성 즉 fatigue, retention, imprint 등이 가장 중요한 문제로 부각되었다. 이중 최근에 이르러 주목을 받고있는 imprint란 강유전체 박막캐패시터의 성질 즉 전기신호에 따른 분극상태의 변화가 비대
기술 정보
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