기술 개요
법을 사용한 실리콘 단결정 성장 과정에서 행해진 실험을 통해서 성장하는 결정내의 불순물 분포가 멜트내에서 일어나는 유동 현상이나 온도 또는 농도의 변동에 영향을 받는다는 것이 밝혀졌다. 즉, 멜트의 온도 변동과 동일한 성질의 농도 변동이 성장된 결정 내부에 존재하는 것이다. 따라서 멜트내의 온도나 농도 등을 측정함으로써 성장하는 결정의 품질을 예측할 수 있다. 이 때 중요한 것은 결정내의 변동과 큰 상관 계수를 가지면서도 센서가 위치해도 결정 성장 과정에 큰 영향을 주지 않는 위치를 찾는 일이다. 최적의 측정 위치는 실제 시스템에 대한 시행 착오적인 실험에 의하거나 수치해석과 모델 실험을 통해서 결정할 수 있다. 이 기술은 실리콘 단결정 성장 뿐만 아니라 고품질의 단결정이 요구되는 각종 반도체 빛 산화물재료
기술 정보
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