기술 개요
최근 반도체 제조기술의 발달로 인하여 전력용 스위치의 고속스위칭을 가능케 하였다. 이에 의해 전력변환기들은 스위칭 주파수를 높임으로써 변환기의 소형화, 경량화, 그리고 저잡음화 등을 달성하였다. 그러나 이들 변환기에 사용된 스위치들은 높은 스위칭 주파수에 의해 스위칭 손실이 크며 많은 스트레스를 받게되어 변환기의 효율을 현저히 감소시킨다. 또한 전력변환기들은 하드 스위칭 동작에 의한 스위치를 보호하기 위해서 스위치 주변에 스너버 회로를 이용하여 보완하지만 출력전류가 증가할 경우 스너버 손실이 크게되어 효율은 더욱 감소된다. 이들을 개선하기위해 본 논문에서는 부분공진의 기법을 전력변환기에 적용시킨 고효율의 전력변환기를 제안한다. 제안된 회로는 부분공진 기법(PRSM : Partial Resonat Switch
기술 정보
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