2-4mu m 파장에서 고분해능 분광기의 활용을 위한 조율 중적외선 반도체 레이저

기술 개요

Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences에 있는 적외선 광전자공학 연구소는 반도체 레이저 분야의 연구와 개발 역사가 길고, 유명하다. 많은 혁신적이고, 훌륭한 아이디어가 우리 연구소에서 처음으로 제안되고 실현되었다. 이 결과 III/V 반도체 혼합물과 그들의 다성분 고체해(ALGaAsSb, GaInAsSb, InAsSb, InAsSbP, 등)에 기초한 새로운 종류의 레이저가 개발되었고, 고안되었다.타입 II GaInAsSb-GaSb 이질 접합에 근거한 첫 IR 단일 양자우물 레이저가 디자인되고, 연구되었다. 최근 이 연구소는 이러한 IR 레이저의 동작온도를 펄스영역에서 160K 까지 올리는 진전을 보았고, 현재 2.8-3.9mu m 의

기술 정보

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