개요
Mg, Zn을 이용하여 GaN박막의 doping한 결과, Zn-doped GaN은 2.6 eV와 2.4 eV, Mg-doped GaN은 2.8 eV와 2.6 eV에서 발광하는 박막을 제조하였다. 양자 역학적 계산(ASED-MO)과에 의하면 NH/SUB 3/에 의한 기판의 전처리가 결정성 향상에 크게 기여하며 수분, O/SUB 2/ C 등의 불순물은 기판 표면 보다는 박막의 성장도중에 삽입될것으로 예측된다. HVPE 방법을 이용하여 GaN 박막 성장시에 수분, 산소 등의 불순물은 순수한 α-GaN 위에 β-GaN 성장을 유발시켰다. 한편 청색 발광체 개발의 일환으로 이트륨계 산화물에 희토류금속인 Eu/SUP3+/, Tb/SUP 3+/나 Ce/SUP 3+/를 활성제로 도핑시켜서 3원색 형광체 물질을 탐색한 결과, Y/SUB 2/O/SUB 3/:Eu, Y/SUB 3/Al/SUB 5/O/SUB 12/:Eu와 Y/SUB 2/SiO/SUB5/:Eu(적색), Y/SUB 2/O/SUB 3/:Tb와 Y/SUB 2/SiO/SUB 5/Tb(녹색), Y/SUB/SiO/SUB5/:Ce(약한 청색) 등을 제조하였다.
상세 안내
이 기술은 재료 고분자재료 분야에 속하며, 세부 분류는 기타 고분자재료입니다. 기술 개발 상태는 기술개발완료이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 라이센스이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. Mg, Zn을 이용하여 GaN박막의 doping한 결과, Zn-doped GaN은 2.6 eV와 2.4 eV, Mg-doped GaN은 2.8 eV와 2.6 eV에서 발광하는 박막을 제조하였다. 양자 역학적 계산(ASED-MO)과에 의하면 NH/SUB 3/에 의한 기판의 전처리가 결정성 향상에 크게 기여하며 수분, O/SUB 2/ C 등의 불순물은 기판 표면 보다는 박막의 성장도중에 삽입될것으로 예측된다. HVPE 방법을 이용하여 GaN 박막 성장시에 수분, 산소 등의 불순물은 순수한 α-GaN 위에 β-GaN 성장을 유발시켰다. 한편 청색 발광체 개발의 일환으로 이트륨계 산화물에 희토류금속인 Eu/SUP3+/, Tb/SUP 3+/나 Ce/SUP 3+/를 활성제로 도핑시켜서 3원색 형광체 물질을 탐색한 결과, Y/SUB 2/O/SUB 3/:Eu, Y/SUB 3/Al/SUB 5/O/SUB 12/:Eu와 Y/SUB 2/SiO/SUB5/:Eu(적색), Y/SUB 2/O/SUB 3/:Tb와 Y/SUB 2/SiO/SUB 5/Tb(녹색), Y/SUB/SiO/SUB5/:Ce(약한 청색) 등을 제조하였다.
상세 내용
기술 상세설명
Mg, Zn을 이용하여 GaN박막의 doping한 결과, Zn-doped GaN은 2.6 eV와 2.4 eV, Mg-doped GaN은 2.8 eV와 2.6 eV에서 발광하는 박막을 제조하였다. 양자 역학적 계산(ASED-MO)과에 의하면 NH/SUB 3/에 의한 기판의 전처리가 결정성 향상에 크게 기여하며 수분, O/SUB 2/ C 등의 불순물은 기판 표면 보다는 박막의 성장도중에 삽입될것으로 예측된다. HVPE 방법을 이용하여 GaN 박막 성장시에 수분, 산소 등의 불순물은 순수한 α-GaN 위에 β-GaN 성장을 유발시켰다. 한편 청색 발광체 개발의 일환으로 이트륨계 산화물에 희토류금속인 Eu/SUP3+/, Tb/SUP 3+/나 Ce/SUP 3+/를 활성제로 도핑시켜서 3원색 형광체 물질을 탐색한 결과, Y/SUB 2/O/SUB 3/:Eu, Y/SUB 3/Al/SUB 5/O/SUB 12/:Eu와 Y/SUB 2/SiO/SUB5/:Eu(적색), Y/SUB 2/O/SUB 3/:Tb와 Y/SUB 2/SiO/SUB 5/Tb(녹색), Y/SUB/SiO/SUB5/:Ce(약한 청색) 등을 제조하였다.
주요 항목
기술 정보, 이렇게 활용하세요
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자주 묻는 질문
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데이터 출처와 신뢰도는 어떻게 되나요?
공공데이터포털(data.go.kr)의 정부·공공기관 원천 데이터를 매일 자동 갱신해 제공합니다. 세부 사항은 원문에서 확인하세요.
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