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강유전체 박막(PZT,스트론튬-타이타늄산화물,리튬-나이오븀산화물)을 이용한 반도체 소자 응용 (한국생산기술연구원) [000315]

강유전체 박막(PZT,스트론튬-타이타늄산화물,리튬-나이오븀산화물)을 이용한 반도체 소자 응용은(는) 이전·라이선스가 가능한 기술시장 거래정보입니다. 보유기업은 한국생산기술연구원입니다.

개요

DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.

상세 안내

이 기술은 전기·전자 반도체 분야에 속하며, 세부 분류는 집적회로설계 기술 (B63)입니다. 기술 개발 상태는 기술개발완료이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 라이센스이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.

상세 내용

기술 상세설명

DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.

주요 항목

기술명강유전체 박막(PZT,스트론튬-타이타늄산화물,리튬-나이오븀산화물)을 이용한 반도체 소자 응용
기술번호S2000000315
보유기업한국생산기술연구원
개발 상태기술개발완료
이전 여부미이전
기술분류전기·전자 반도체
세부 기술분류집적회로설계 기술 (B63)
세부 키워드기억소자, 고집적화, Cell capacitor, 강유전체 박막, BTO층
거래 방식자가등록
희망 거래방식라이센스
이전 조건협의 후 결정
등록 완료일2000-04-07
rownum314
기술분류(대)전기·전자
기술분류(중)반도체
tcntrnAmtCd0
tcntrnAmtCdNm기타

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