개요
Silicon-On-Insulator(SOI) 기술을 이용한 반도체 소자는 높은 신뢰성과 빠른 동작속도 및 집적도의 향상 등을 쉽게 얻을 수 있는 이점 때문에 최근에 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, SOI기술은 절연격리가(dielectric isolation)가 용이하기 때문에 전력 집적회로 (power IC)의 제작에 이용될 경우 소자의 스위칭 속도를 향상시킬 수 있고 논리회로와 전력소자를 구조적으로 완전히 분리시킬 수 있는 등의 여러 가지 장점이 있어 최근에 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 전력용 개별소자(discrete device)로 많이 쓰이고 있는 수평형 IGBT(Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor)는 SOI 기판 위에 제작할 때 위에서 언급한 것과 같은 여러 가지 이점을 얻을 수 있으나, IGBT소자에서 최대 전류능력을 제한하는 소위 latch-up 문제는 더욱 심각하게 나타난다. Latch-up특성을 개선하기 위하여 정공 전류를 바이패스시키는 SOI LIGBT를 제안하였고, MEDICI 시뮬레이션을 통해 이를 검증하였다. 제안된 소자는 기존의 LIGBT구조에서 게이트와 캐소드의 위치를 바꾸고 트렌치 게이트를 채택하여 구현하였으며 기존의 소자에 비해서 5배 이상의 latch-up 전류능력을 가짐을 알 수 있었다. 또한, 캐리어의 수명을 여러 가지로 바꾸었을 때에도 개선된 latch-up 특성이 유지됨을 확인 할 수 있었다. 제안된 소자의 스위칭 속도는 기존의 소자와 거의 같았고 순방향 전압강하는 제안된 소자가 캐리어 수명에 따라 약 0.1V 에서 0.8V 정도 높았으나 이것은 에피층의 농도가 낮게 설계될 경우 해결될 수 있다.
상세 안내
이 기술은 전기·전자 반도체 분야에 속하며, 세부 분류는 반도체 공정 (B63)입니다. 기술 개발 상태는 기타이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 라이센스이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. Silicon-On-Insulator(SOI) 기술을 이용한 반도체 소자는 높은 신뢰성과 빠른 동작속도 및 집적도의 향상 등을 쉽게 얻을 수 있는 이점 때문에 최근에 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, SOI기술은 절연격리가(dielectric isolation)가 용이하기 때문에 전력 집적회로 (power IC)의 제작에 이용될 경우 소자의 스위칭 속도를 향상시킬 수 있고 논리회로와 전력소자를 구조적으로 완전히 분리시킬 수 있는 등의 여러 가지 장점이 있어 최근에 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 전력용 개별소자(discrete device)로 많이 쓰이고 있는 수평형 IGBT(Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor)는 SOI 기판 위에 제작할 때 위에서 언급한 것과 같은 여러 가지 이점을 얻을 수 있으나, IGBT소자에서 최대 전류능력을 제한하는 소위 latch-up 문제는 더욱 심각하게 나타난다. Latch-up특성을 개선하기 위하여 정공 전류를 바이패스시키는 SOI LIGBT를 제안하였고, MEDICI 시뮬레이션을 통해 이를 검증하였다. 제안된 소자는 기존의 LIGBT구조에서 게이트와 캐소드의 위치를 바꾸고 트렌치 게이트를 채택하여 구현하였으며 기존의 소자에 비해서 5배 이상의 latch-up 전류능력을 가짐을 알 수 있었다. 또한, 캐리어의 수명을 여러 가지로 바꾸었을 때에도 개선된 latch-up 특성이 유지됨을 확인 할 수 있었다. 제안된 소자의 스위칭 속도는 기존의 소자와 거의 같았고 순방향 전압강하는 제안된 소자가 캐리어 수명에 따라 약 0.1V 에서 0.8V 정도 높았으나 이것은 에피층의 농도가 낮게 설계될 경우 해결될 수 있다.
상세 내용
기술 상세설명
Silicon-On-Insulator(SOI) 기술을 이용한 반도체 소자는 높은 신뢰성과 빠른 동작속도 및 집적도의 향상 등을 쉽게 얻을 수 있는 이점 때문에 최근에 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, SOI기술은 절연격리가(dielectric isolation)가 용이하기 때문에 전력 집적회로 (power IC)의 제작에 이용될 경우 소자의 스위칭 속도를 향상시킬 수 있고 논리회로와 전력소자를 구조적으로 완전히 분리시킬 수 있는 등의 여러 가지 장점이 있어 최근에 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 전력용 개별소자(discrete device)로 많이 쓰이고 있는 수평형 IGBT(Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor)는 SOI 기판 위에 제작할 때 위에서 언급한 것과 같은 여러 가지 이점을 얻을 수 있으나, IGBT소자에서 최대 전류능력을 제한하는 소위 latch-up 문제는 더욱 심각하게 나타난다. Latch-up특성을 개선하기 위하여 정공 전류를 바이패스시키는 SOI LIGBT를 제안하였고, MEDICI 시뮬레이션을 통해 이를 검증하였다. 제안된 소자는 기존의 LIGBT구조에서 게이트와 캐소드의 위치를 바꾸고 트렌치 게이트를 채택하여 구현하였으며 기존의 소자에 비해서 5배 이상의 latch-up 전류능력을 가짐을 알 수 있었다. 또한, 캐리어의 수명을 여러 가지로 바꾸었을 때에도 개선된 latch-up 특성이 유지됨을 확인 할 수 있었다. 제안된 소자의 스위칭 속도는 기존의 소자와 거의 같았고 순방향 전압강하는 제안된 소자가 캐리어 수명에 따라 약 0.1V 에서 0.8V 정도 높았으나 이것은 에피층의 농도가 낮게 설계될 경우 해결될 수 있다.
주요 항목
기술 정보, 이렇게 활용하세요
신기술 도입이나 사업화를 검토하는 중소기업은 이 기술의 분야·이전 조건을 확인해 R&D 부담을 줄이고 기술이전 협력을 추진하는 데 활용할 수 있습니다. 기술 도입·이전·사업화를 검토하는 중소기업이 참고하는 기술 정보입니다. 보유·도입 가능 기술의 분야와 조건을 파악해 R&D·사업화 전략에 활용됩니다.
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자주 묻는 질문
기술시장 거래정보는 어떻게 활용하나요?
도입·이전 가능한 기술의 분야·조건을 파악해 R&D·사업화 전략 수립과 기술 협력처 탐색에 활용합니다.
기술 도입 시 무엇을 확인해야 하나요?
자사 생산공정·제품과의 적합성, 특허·인증 등 권리관계, 사업화 비용을 함께 검토하고 기술보증·기술이전 지원사업과 연계하세요.
데이터 출처와 신뢰도는 어떻게 되나요?
공공데이터포털(data.go.kr)의 정부·공공기관 원천 데이터를 매일 자동 갱신해 제공합니다. 세부 사항은 원문에서 확인하세요.
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