개요
최근 통신용 회로, 고성능 컴퓨터, 및 각종 전자시스템이 고도화됨에 따라 이들 시스템에서 신호의 지연 및 왜곡등이 설계상 심각한 병목현상으로 대두되었다. 실상 이들에 관한 본질적인 문제는 반도체소자 및 전송로상에서의 마이크로웨이브 현상에 기인하며 본연구실에서는 이들에 관련한 연구를 수행하고 있다. 따라서 본 포스터에서는 고밀도 고속 VLSI 회로 및 전자 패키징에서의 전기신호의 왜곡에 기인한 시그널 인테그러티 해석 및 이들 전기신호 노이즈 모델링에 대하여 계시하며 이들을 실험적으로 고찰하기 위한 고주파 측정 방법 및 모델링에 대하여 소개한다. 더불어 이들 부분회로에 대한 실험적 특성 분석 및 모델링을 이용한 MCM (Multi-Chip Module) 설계용 툴개발에 관한 내용도 계시한다. 특히 고주파 회로에서의 IC 인터컨넥트 및 트랜스미션 라인의 S-파라미터 측정 및 TDR/TDT 측정을 위한 테스트 패턴 설계 및 이들에 관한 특성 분석 방법에 대하여 도식적으로 기술하며 본 연구실에서 수행하고 있는 시그널 인테그러티 문제와 관련하여 IC 내에서 신호의 지연 및 크로스톡 모델링에 관한 측정 데이터 및 모델링을 예시하고 전자 패키징에 관련하여서는 동시스위칭에 관련한 패키징 노이즈 즉 칩내의 파워선 혹은 그라운드선과 같은 기준 전위의 변형에관한 시뮬레이션 결과를 예시한다.
상세 안내
이 기술은 전기·전자 반도체 분야에 속하며, 세부 분류는 반도체 공정 (B63)입니다. 기술 개발 상태는 특허만신청(등록)이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 기술매매이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. 최근 통신용 회로, 고성능 컴퓨터, 및 각종 전자시스템이 고도화됨에 따라 이들 시스템에서 신호의 지연 및 왜곡등이 설계상 심각한 병목현상으로 대두되었다. 실상 이들에 관한 본질적인 문제는 반도체소자 및 전송로상에서의 마이크로웨이브 현상에 기인하며 본연구실에서는 이들에 관련한 연구를 수행하고 있다. 따라서 본 포스터에서는 고밀도 고속 VLSI 회로 및 전자 패키징에서의 전기신호의 왜곡에 기인한 시그널 인테그러티 해석 및 이들 전기신호 노이즈 모델링에 대하여 계시하며 이들을 실험적으로 고찰하기 위한 고주파 측정 방법 및 모델링에 대하여 소개한다. 더불어 이들 부분회로에 대한 실험적 특성 분석 및 모델링을 이용한 MCM (Multi-Chip Module) 설계용 툴개발에 관한 내용도 계시한다. 특히 고주파 회로에서의 IC 인터컨넥트 및 트랜스미션 라인의 S-파라미터 측정 및 TDR/TDT 측정을 위한 테스트 패턴 설계 및 이들에 관한 특성 분석 방법에 대하여 도식적으로 기술하며 본 연구실에서 수행하고 있는 시그널 인테그러티 문제와 관련하여 IC 내에서 신호의 지연 및 크로스톡 모델링에 관한 측정 데이터 및 모델링을 예시하고 전자 패키징에 관련하여서는 동시스위칭에 관련한 패키징 노이즈 즉 칩내의 파워선 혹은 그라운드선과 같은 기준 전위의 변형에관한 시뮬레이션 결과를 예시한다.
상세 내용
기술 상세설명
최근 통신용 회로, 고성능 컴퓨터, 및 각종 전자시스템이 고도화됨에 따라 이들 시스템에서 신호의 지연 및 왜곡등이 설계상 심각한 병목현상으로 대두되었다. 실상 이들에 관한 본질적인 문제는 반도체소자 및 전송로상에서의 마이크로웨이브 현상에 기인하며 본연구실에서는 이들에 관련한 연구를 수행하고 있다. 따라서 본 포스터에서는 고밀도 고속 VLSI 회로 및 전자 패키징에서의 전기신호의 왜곡에 기인한 시그널 인테그러티 해석 및 이들 전기신호 노이즈 모델링에 대하여 계시하며 이들을 실험적으로 고찰하기 위한 고주파 측정 방법 및 모델링에 대하여 소개한다. 더불어 이들 부분회로에 대한 실험적 특성 분석 및 모델링을 이용한 MCM (Multi-Chip Module) 설계용 툴개발에 관한 내용도 계시한다. 특히 고주파 회로에서의 IC 인터컨넥트 및 트랜스미션 라인의 S-파라미터 측정 및 TDR/TDT 측정을 위한 테스트 패턴 설계 및 이들에 관한 특성 분석 방법에 대하여 도식적으로 기술하며 본 연구실에서 수행하고 있는 시그널 인테그러티 문제와 관련하여 IC 내에서 신호의 지연 및 크로스톡 모델링에 관한 측정 데이터 및 모델링을 예시하고 전자 패키징에 관련하여서는 동시스위칭에 관련한 패키징 노이즈 즉 칩내의 파워선 혹은 그라운드선과 같은 기준 전위의 변형에관한 시뮬레이션 결과를 예시한다.
주요 항목
기술 정보, 이렇게 활용하세요
신기술 도입이나 사업화를 검토하는 중소기업은 이 기술의 분야·이전 조건을 확인해 R&D 부담을 줄이고 기술이전 협력을 추진하는 데 활용할 수 있습니다. 기술 도입·이전·사업화를 검토하는 중소기업이 참고하는 기술 정보입니다. 보유·도입 가능 기술의 분야와 조건을 파악해 R&D·사업화 전략에 활용됩니다.
- 도입 기술은 자사 생산공정·제품과의 적합성을 먼저 검토하세요.
- 기술보증·기술이전 지원사업과 연계하면 사업화 부담을 줄일 수 있습니다.
- 특허·인증 등 권리 관계를 확인하세요.
자주 묻는 질문
기술시장 거래정보는 어떻게 활용하나요?
도입·이전 가능한 기술의 분야·조건을 파악해 R&D·사업화 전략 수립과 기술 협력처 탐색에 활용합니다.
기술 도입 시 무엇을 확인해야 하나요?
자사 생산공정·제품과의 적합성, 특허·인증 등 권리관계, 사업화 비용을 함께 검토하고 기술보증·기술이전 지원사업과 연계하세요.
데이터 출처와 신뢰도는 어떻게 되나요?
공공데이터포털(data.go.kr)의 정부·공공기관 원천 데이터를 매일 자동 갱신해 제공합니다. 세부 사항은 원문에서 확인하세요.
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