개요
새로운 기록매체의 지속적인 발달로 기록 밀도는 기하급수적으로 향상되고 있으나 기록된 정보를 읽는 헤드는 주로 기존의 유도 방식에 의존함으로써 그 한계가 드러나고 있다. 처리해야하는 정보의 양이 큰 HDTV용 VCR 등의 영상매체를 위하여 차세대 자기 헤드로서 자기 저항(MR)헤드가 제안되었으며, 현재 전세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나NiFe와 같은 기존의 자기저항 재료를 이용한 MR헤드의 경우 저항변화가 1~2% 정도로 작아 신호 처리 회로부분이 복잡해지는 단점이 있다.최근 발견된 거대자기저항 재료는 자기저항이 수십%에 달해 MR헤드 및 기타 자기 센서, 비휘발성 메모리의 새로운 재료로서 현재 전 세계적으로 가광받고 있다.그러나 거대자기저항 박막형성시 자장을 추가적으로 인가해야하므로 장비가 복잡해짐은 물론 기록매체 적용을 위해서는 자기이방성을 이정한 방향으로 유도해야 하므로 박막 형성시 위치까지 조정해야하는 단점이 있다.본연구에서는 기판을 조절함으로써 일정 방향으로 자기 이바엉이 유도되는 현상을 발견하여 이를 이용한 스핀밸브 자기저항 소자를 형성하였을 때 자기저항 변화가 수십% 변화시킬수 있었다. 이러한 결과는 거대자기 저항 헤드는 물론 DRAM보다 단위 면적당 기억소자 개수가 많은 MRAM의 제작이 가능하며 추가적인 외부인가 자장이 불필요하여 경제성이 뛰어나다.
상세 안내
이 기술은 재료 고분자재료 분야에 속하며, 세부 분류는 전기·전자기 기능재료입니다. 기술 개발 상태는 기타이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 기술지도이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. 새로운 기록매체의 지속적인 발달로 기록 밀도는 기하급수적으로 향상되고 있으나 기록된 정보를 읽는 헤드는 주로 기존의 유도 방식에 의존함으로써 그 한계가 드러나고 있다. 처리해야하는 정보의 양이 큰 HDTV용 VCR 등의 영상매체를 위하여 차세대 자기 헤드로서 자기 저항(MR)헤드가 제안되었으며, 현재 전세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나NiFe와 같은 기존의 자기저항 재료를 이용한 MR헤드의 경우 저항변화가 1~2% 정도로 작아 신호 처리 회로부분이 복잡해지는 단점이 있다.최근 발견된 거대자기저항 재료는 자기저항이 수십%에 달해 MR헤드 및 기타 자기 센서, 비휘발성 메모리의 새로운 재료로서 현재 전 세계적으로 가광받고 있다.그러나 거대자기저항 박막형성시 자장을 추가적으로 인가해야하므로 장비가 복잡해짐은 물론 기록매체 적용을 위해서는 자기이방성을 이정한 방향으로 유도해야 하므로 박막 형성시 위치까지 조정해야하는 단점이 있다.본연구에서는 기판을 조절함으로써 일정 방향으로 자기 이바엉이 유도되는 현상을 발견하여 이를 이용한 스핀밸브 자기저항 소자를 형성하였을 때 자기저항 변화가 수십% 변화시킬수 있었다. 이러한 결과는 거대자기 저항 헤드는 물론 DRAM보다 단위 면적당 기억소자 개수가 많은 MRAM의 제작이 가능하며 추가적인 외부인가 자장이 불필요하여 경제성이 뛰어나다.
상세 내용
기술 상세설명
새로운 기록매체의 지속적인 발달로 기록 밀도는 기하급수적으로 향상되고 있으나 기록된 정보를 읽는 헤드는 주로 기존의 유도 방식에 의존함으로써 그 한계가 드러나고 있다. 처리해야하는 정보의 양이 큰 HDTV용 VCR 등의 영상매체를 위하여 차세대 자기 헤드로서 자기 저항(MR)헤드가 제안되었으며, 현재 전세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나NiFe와 같은 기존의 자기저항 재료를 이용한 MR헤드의 경우 저항변화가 1~2% 정도로 작아 신호 처리 회로부분이 복잡해지는 단점이 있다.최근 발견된 거대자기저항 재료는 자기저항이 수십%에 달해 MR헤드 및 기타 자기 센서, 비휘발성 메모리의 새로운 재료로서 현재 전 세계적으로 가광받고 있다.그러나 거대자기저항 박막형성시 자장을 추가적으로 인가해야하므로 장비가 복잡해짐은 물론 기록매체 적용을 위해서는 자기이방성을 이정한 방향으로 유도해야 하므로 박막 형성시 위치까지 조정해야하는 단점이 있다.본연구에서는 기판을 조절함으로써 일정 방향으로 자기 이바엉이 유도되는 현상을 발견하여 이를 이용한 스핀밸브 자기저항 소자를 형성하였을 때 자기저항 변화가 수십% 변화시킬수 있었다. 이러한 결과는 거대자기 저항 헤드는 물론 DRAM보다 단위 면적당 기억소자 개수가 많은 MRAM의 제작이 가능하며 추가적인 외부인가 자장이 불필요하여 경제성이 뛰어나다.
주요 항목
기술 정보, 이렇게 활용하세요
신기술 도입이나 사업화를 검토하는 중소기업은 이 기술의 분야·이전 조건을 확인해 R&D 부담을 줄이고 기술이전 협력을 추진하는 데 활용할 수 있습니다. 기술 도입·이전·사업화를 검토하는 중소기업이 참고하는 기술 정보입니다. 보유·도입 가능 기술의 분야와 조건을 파악해 R&D·사업화 전략에 활용됩니다.
- 도입 기술은 자사 생산공정·제품과의 적합성을 먼저 검토하세요.
- 기술보증·기술이전 지원사업과 연계하면 사업화 부담을 줄일 수 있습니다.
- 특허·인증 등 권리 관계를 확인하세요.
자주 묻는 질문
기술시장 거래정보는 어떻게 활용하나요?
도입·이전 가능한 기술의 분야·조건을 파악해 R&D·사업화 전략 수립과 기술 협력처 탐색에 활용합니다.
기술 도입 시 무엇을 확인해야 하나요?
자사 생산공정·제품과의 적합성, 특허·인증 등 권리관계, 사업화 비용을 함께 검토하고 기술보증·기술이전 지원사업과 연계하세요.
데이터 출처와 신뢰도는 어떻게 되나요?
공공데이터포털(data.go.kr)의 정부·공공기관 원천 데이터를 매일 자동 갱신해 제공합니다. 세부 사항은 원문에서 확인하세요.
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