개요
ULSI급 DRAM 축전기용 유전재료로서 최근 많은 연구가 진행되고 있는 BST 박막은 유전용량의 확보를 위한 유전상수 및 누설전류 특성이 두께가 얇아짐에 따라 급격히 열화하여 이에 대한 연구가 집중되고 있다. 본 연구에서는 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판 위에 하부전극으로 Pt을 증착한 후, RF 마그네트론 스퍼터링 증착시 상, 하부층의 증착온도를 달리한 2단계 증착법에 의하여 형성한 BST[(BaSr)TiO3] 박막의 특성에 관하여 고찰하였다하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 400을 증착한 500 두께의 BST 박막은 유전율이 385로 실리콘 산화막과 비교한 유효두께가 약 5로 우수한 특성을 보였으며 인가전압 1.5V에서 측정한 누설전류밀도도 210-8A/㎠의 낮은 값을 보였다. 또한 두께가 감소하여 하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 100을 증착한 200 박막의 경우에는 유효두께가 4.2 까지 낮아졌으나 누설전류에 있어서는 410-7A/㎠로 증가하는 경향을 보였다. 이러한 결과는 지금까지 보고된 어떤 결과보다 우수하며 250M DRAM이상에서 요구하는 특성을 만족
상세 안내
이 기술은 재료 고분자재료 분야에 속하며, 세부 분류는 전기·전자기 기능재료입니다. 기술 개발 상태는 기타이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 기술지도이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. ULSI급 DRAM 축전기용 유전재료로서 최근 많은 연구가 진행되고 있는 BST 박막은 유전용량의 확보를 위한 유전상수 및 누설전류 특성이 두께가 얇아짐에 따라 급격히 열화하여 이에 대한 연구가 집중되고 있다. 본 연구에서는 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판 위에 하부전극으로 Pt을 증착한 후, RF 마그네트론 스퍼터링 증착시 상, 하부층의 증착온도를 달리한 2단계 증착법에 의하여 형성한 BST[(BaSr)TiO3] 박막의 특성에 관하여 고찰하였다하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 400을 증착한 500 두께의 BST 박막은 유전율이 385로 실리콘 산화막과 비교한 유효두께가 약 5로 우수한 특성을 보였으며 인가전압 1.5V에서 측정한 누설전류밀도도 210-8A/㎠의 낮은 값을 보였다. 또한 두께가 감소하여 하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 100을 증착한 200 박막의 경우에는 유효두께가 4.2 까지 낮아졌으나 누설전류에 있어서는 410-7A/㎠로 증가하는 경향을 보였다. 이러한 결과는 지금까지 보고된 어떤 결과보다 우수하며 250M DRAM이상에서 요구하는 특성을 만족
상세 내용
기술 상세설명
ULSI급 DRAM 축전기용 유전재료로서 최근 많은 연구가 진행되고 있는 BST 박막은 유전용량의 확보를 위한 유전상수 및 누설전류 특성이 두께가 얇아짐에 따라 급격히 열화하여 이에 대한 연구가 집중되고 있다. 본 연구에서는 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판 위에 하부전극으로 Pt을 증착한 후, RF 마그네트론 스퍼터링 증착시 상, 하부층의 증착온도를 달리한 2단계 증착법에 의하여 형성한 BST[(BaSr)TiO3] 박막의 특성에 관하여 고찰하였다하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 400을 증착한 500 두께의 BST 박막은 유전율이 385로 실리콘 산화막과 비교한 유효두께가 약 5로 우수한 특성을 보였으며 인가전압 1.5V에서 측정한 누설전류밀도도 210-8A/㎠의 낮은 값을 보였다. 또한 두께가 감소하여 하부층은 600도에서 100, 상부층은 350도에서 100을 증착한 200 박막의 경우에는 유효두께가 4.2 까지 낮아졌으나 누설전류에 있어서는 410-7A/㎠로 증가하는 경향을 보였다. 이러한 결과는 지금까지 보고된 어떤 결과보다 우수하며 250M DRAM이상에서 요구하는 특성을 만족
주요 항목
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자주 묻는 질문
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