개요
금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 평판 디스플레이 분야는 전자산업에 있어서 미래를 선도해 나갈 수 있는 기술분야로 평가되고 있으며 그중 LCD(Liquid Crystal Display)가 가장 유력한 방법으로 평가되고 있다. 90년도 들어서 LCD기술은 응답속도가 빠른 TFT형 LCD 가 주류를 이루게 되었다. 액정을 구동하는 TFT Matrix 제조기술로, 현재 양산에는 대면적 증착과 저온공정(＜400)이 유리한 비정질 실리콘을 사용하고 있다 그러나, LCD의 수율향상과 속도향상을 위해서는 다결정 Si-TFT가 필수적인데 재면적의 LCD를 위해서는 저온에서의 공정 방법이 개발되어야하는 문제점을 지니고 있다. 본 연구는 금속 유도 측면 결정화(Metal-Induced Lateral Crystallization; MILC)법을 이용한 비정질 실리콘의 결정화 온도를 500 이하에서 대면적의 유리기판위에 다결정 Si-TFT를 형성하는기술이다.. 금속 유도 측면 결정화란 비정질 실리콘 위에 선택적으로 증착된 얇은 금속박막을 형성한 뒤 500 정도의 낮은 온도에서 열처리하면 금속 막이 증착되지 않은 측면 영역의 비정질 실리콘이 결정화되고 이 결정질 실리콘에는 금속오염이 없고 큰 결정립을 갖는 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있어 우수한 전기적 특성을 보인다. MILC 방법으로 500의 온도에서 유리기판위에 형성한 다결정 실리콘 TFT는 드레인 전압 20V에서 <1nA/1m의 낮은 누설전류, 전자이동도 100cm2/sec 이상의 특성을 보인다.
상세 안내
이 기술은 재료 고분자재료 분야에 속하며, 세부 분류는 전기·전자기 기능재료입니다. 기술 개발 상태는 기타이고, 이전 여부는 미이전입니다. 희망 거래방식은 기술지도이며, 이전 조건은 협의 후 결정입니다. 기술 상세 설명은 다음과 같습니다. 금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 평판 디스플레이 분야는 전자산업에 있어서 미래를 선도해 나갈 수 있는 기술분야로 평가되고 있으며 그중 LCD(Liquid Crystal Display)가 가장 유력한 방법으로 평가되고 있다. 90년도 들어서 LCD기술은 응답속도가 빠른 TFT형 LCD 가 주류를 이루게 되었다. 액정을 구동하는 TFT Matrix 제조기술로, 현재 양산에는 대면적 증착과 저온공정(＜400)이 유리한 비정질 실리콘을 사용하고 있다 그러나, LCD의 수율향상과 속도향상을 위해서는 다결정 Si-TFT가 필수적인데 재면적의 LCD를 위해서는 저온에서의 공정 방법이 개발되어야하는 문제점을 지니고 있다. 본 연구는 금속 유도 측면 결정화(Metal-Induced Lateral Crystallization; MILC)법을 이용한 비정질 실리콘의 결정화 온도를 500 이하에서 대면적의 유리기판위에 다결정 Si-TFT를 형성하는기술이다.. 금속 유도 측면 결정화란 비정질 실리콘 위에 선택적으로 증착된 얇은 금속박막을 형성한 뒤 500 정도의 낮은 온도에서 열처리하면 금속 막이 증착되지 않은 측면 영역의 비정질 실리콘이 결정화되고 이 결정질 실리콘에는 금속오염이 없고 큰 결정립을 갖는 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있어 우수한 전기적 특성을 보인다. MILC 방법으로 500의 온도에서 유리기판위에 형성한 다결정 실리콘 TFT는 드레인 전압 20V에서 <1nA/1m의 낮은 누설전류, 전자이동도 100cm2/sec 이상의 특성을 보인다.
상세 내용
기술 상세설명
금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 평판 디스플레이 분야는 전자산업에 있어서 미래를 선도해 나갈 수 있는 기술분야로 평가되고 있으며 그중 LCD(Liquid Crystal Display)가 가장 유력한 방법으로 평가되고 있다. 90년도 들어서 LCD기술은 응답속도가 빠른 TFT형 LCD 가 주류를 이루게 되었다. 액정을 구동하는 TFT Matrix 제조기술로, 현재 양산에는 대면적 증착과 저온공정(＜400)이 유리한 비정질 실리콘을 사용하고 있다 그러나, LCD의 수율향상과 속도향상을 위해서는 다결정 Si-TFT가 필수적인데 재면적의 LCD를 위해서는 저온에서의 공정 방법이 개발되어야하는 문제점을 지니고 있다. 본 연구는 금속 유도 측면 결정화(Metal-Induced Lateral Crystallization; MILC)법을 이용한 비정질 실리콘의 결정화 온도를 500 이하에서 대면적의 유리기판위에 다결정 Si-TFT를 형성하는기술이다.. 금속 유도 측면 결정화란 비정질 실리콘 위에 선택적으로 증착된 얇은 금속박막을 형성한 뒤 500 정도의 낮은 온도에서 열처리하면 금속 막이 증착되지 않은 측면 영역의 비정질 실리콘이 결정화되고 이 결정질 실리콘에는 금속오염이 없고 큰 결정립을 갖는 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있어 우수한 전기적 특성을 보인다. MILC 방법으로 500의 온도에서 유리기판위에 형성한 다결정 실리콘 TFT는 드레인 전압 20V에서 <1nA/1m의 낮은 누설전류, 전자이동도 100cm2/sec 이상의 특성을 보인다.
주요 항목
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데이터 출처와 신뢰도는 어떻게 되나요?
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